隨著半導(dǎo)體電子技術(shù)的發(fā)展,陶瓷基板和金屬線路層。對(duì)于電子封裝而言,大功率、小尺寸LED器件的散熱要求越來(lái)越高,封裝基板起著承上啟下,連接內(nèi)外散熱通道的主要關(guān)鍵作用,同時(shí)兼有電互連和機(jī)械支撐等功能。
因此成為L(zhǎng)ED封裝散熱基板材料的重要選擇。
眾億達(dá)科技陶瓷基板在結(jié)構(gòu)與制作工藝而言,陶瓷基板又是可分為高溫共燒多層陶瓷基板(HTCC)、低溫共燒陶瓷基板(LTCC)、厚膜陶瓷基板(TFC)、直接敷銅陶瓷基板(DBC)、直接鍍銅陶瓷基板(DPC)等。
其中直接敷銅陶瓷基板和直接鍍銅陶瓷基板僅有一字之差,那么這兩種到底又是什么不同之處一、工藝不同
1. 直接覆銅陶瓷基板(DBC):是在銅與陶瓷之間加入氧元素,在1065~1083℃溫度間得到Cu-O共晶液,隨后反應(yīng)得到中間相(CuAIO2或CuAI2O4),從而實(shí)現(xiàn)Cu板和陶瓷基板化學(xué)冶金結(jié)合,最后就是通過(guò)光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)圖形制備形成電路。
DBC可分為3層,中間絕緣材料是AI2O3或AIN。AI2O3的熱導(dǎo)率通常為24W/(m-k),AIN的熱導(dǎo)率則為170W/(m-k)。DBC基板的熱膨脹系數(shù)Al2O3/AlN相類似,非常接近LED外延材料的熱膨脹系數(shù),可以顯著降低芯片與基板間所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
2.直接鍍銅陶瓷基板(DPC):直接鍍銅陶瓷基板(DPC)是將陶瓷基板做預(yù)處理清潔,利用半導(dǎo)體工藝在陶瓷基板上濺射銅種子層,再經(jīng)曝光、顯影、蝕刻、去膜等光刻工藝實(shí)現(xiàn)線路圖案,最后再通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍方式增加銅線路的厚度,移除光刻膠后即完成金屬化線路制作。
二、陶瓷基板DBC和DPC工藝區(qū)別
1、直接敷銅陶瓷基板(DBC)
優(yōu)點(diǎn):由于銅箔具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力,而氧化鋁能有效控制Cu-Al2O3-Cu復(fù)合體的膨脹,使DBC基板具有近似氧化鋁的熱膨脹系數(shù),因此,DBC具有導(dǎo)熱性好、絕緣性強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于IGBT、LD和CPV封裝。特別是由于銅箔較厚(100~600μm),在IGBT和LD封裝領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。
缺點(diǎn):
1)制備過(guò)程利用了在高溫下(1065℃)Cu與Al2O3間的共晶反應(yīng),對(duì)設(shè)備和工藝控制要求高,使基板成本偏高;
2)由于Al2O3與Cu層間容易產(chǎn)生微氣孔,降低了產(chǎn)品抗熱沖擊性能,這些缺點(diǎn)成為DBC基板推廣的瓶頸。
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